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AOTF15B65M1
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 15A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 45A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 923pF | |
| 输出电容(Coes) | 96pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 33pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 15ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 94ns | |
| 导通损耗(Eon) | 290uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 200uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 317ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |