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NM8205A
耐压:20V 电流:6.5A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，可在低至2.5V的栅极电压下工作。适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- 晶导微电子
- 商品型号
- NM8205A
- 商品编号
- C5299895
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 863pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品特性
- VDS = 20 V,ID = 6.5 A
- RDS(ON) < 25 mΩ@VGS = 10 V
应用领域
- 锂电池保护
- 手机快充