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LX2300S
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 结合先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)。该器件适用于用作负载开关或PWM应用。
- 品牌名称
- CHIPLINK(芯联)
- 商品型号
- LX2300S
- 商品编号
- C5297690
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 457pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
TPM04K20BX是P沟道增强型MOSFET晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。
商品特性
- VDS = 20 V, ID = 6 A
- RDS(ON)< 28 m Ω@ VDS=4.5 V
- RDS(ON) < 33 m Ω @ VDS = 2.5 V
- 高功率和电流处理能力
- 引脚无铅且符合RoHS标准
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理