温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AGM420MC
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:7.6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- AGM420MC将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM420MC
- 商品编号
- C5297501
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V；26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA；1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.9nC@10V；18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 516pF；931pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF；72pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 96pF；82pF |