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AGM425MD
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:23A
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- 描述
- AGM425MD将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM425MD
- 商品编号
- C5297502
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V；40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A；20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V；32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W；27.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V；1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@4.5V；17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 715pF；880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF；77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 87pF；65pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术，采用LFPAK56（Power SO8）表面贴装器件（SMD）塑料封装的P沟道增强型MOSFET。 本产品已按照AEC-Q101标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用，如反接电池保护。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),以最大限度地降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA Vcore
- 开关电源二次同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电动机驱动器