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AGM306D
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- AGM306D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM306D
- 商品编号
- C5297487
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.41克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 51W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 118pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 136pF |
商品概述
全新 MDmesh™ M6 技术融入了对知名且成熟的 MDmesh 系列超结 MOSFET 的最新改进。意法半导体通过其新的 M6 技术在 MDmesh 前代器件的基础上进行升级，该技术将出色的单位面积导通态漏源电阻（RDS(on)）改善与高效的开关性能相结合，同时为终端应用提供便捷体验，以实现最高的效率。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA Vcore
- 开关电源二次侧同步整流
- 负载点(POL)应用
- 无刷直流(BLDC)电机驱动器