温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AGM310AP1
1个N沟道 耐压:30V 电流:28A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- AGM310AP1 将先进的沟槽 MOSFET 技术与低电阻封装相结合，可提供极低的导通电阻 (RDS(ON)。该器件是负载开关和电池保护应用的理想选择。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM310AP1
- 商品编号
- C5297488
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 98pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
AGM412MAP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),可最大程度降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100% 雪崩测试
- 100% 漏源电压测试
应用领域
- 主板/显卡核心电压
- 开关电源二次同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器