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AO3400
N沟道增强型场效应管 1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 适用于一般开关和低压电源电路、开关速度较快、导通电阻低。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO3400
- 商品编号
- C5296723
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V,5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WCR670N65系列是新一代高压MOSFET产品，采用先进的电荷平衡机制，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。该器件适用于各种开关模式操作的AC/DC电源转换，以实现更高的效率。
商品特性
- 700V@TJ=150°C
- 典型RDS(on)=0.55Ω
- 低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 100%栅极电阻测试
应用领域
- 用于一般开关和低压电源电路