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APM4953
2个P沟道 耐压:30V 电流:5.3A
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- 描述
- 适用于高效率电源转换和负载开关应用，紧凑结构与强大性能结合，提供卓越的双通道功率控制解决方案。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- APM4953
- 商品编号
- C5296733
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 89mΩ@4.5V,4.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 528pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
这款 P 沟道 2.5V 规格的 MOSFET 采用了飞兆半导体先进的 PowerTrench 工艺的坚固栅极版本。针对具有宽范围栅极驱动电压（2.5V - 12V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- VDS(V) = -20 V
- RDS(ON) < 100 mΩ（VGS = -4.5 V）
- RDS(ON) = 120 mΩ（VGS = -2.5 V）
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