温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDS3672
1个N沟道 耐压:100V 电流:8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- FDS3672
- 商品编号
- C5296734
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款专为 2.5V 设计的 P 沟道 MOSFET 经过特殊定制，可最大程度降低导通电阻，同时保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。 这些器件非常适合便携式电子应用：负载开关和电源管理、电池充电电路以及 DC/DC 转换。
商品特性
- VDS(V) = -20 V
- RDS(ON) < 0.2Ω (VGS = -4.5V)
- RDS(ON) < 0.27Ω (VGS = -2.5V)
应用领域
- 便携式电子应用：负载开关和电源管理、电池充电电路以及 DC/DC 转换
相似推荐
其他推荐