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STPSC6TH13TI
双650V功率碳化硅肖特基二极管
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- 描述
- 2 x 650V串联、6 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STPSC6TH13TI
- 商品编号
- C5268311
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.586842克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅二极管 | |
| 二极管配置 | 1对串联式 | |
| 整流电流 | 6A | |
| 正向压降(Vf) | 1.75V@6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流反向耐压(Vr) | 650V | |
| 反向电流(Ir) | 60uA@650V | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 60A | |
| 工作结温范围 | -40℃~+175℃ |
商品概述
SiC二极管是一款高性能功率肖特基二极管，采用碳化硅衬底制造。宽带隙材料使其能够设计出额定电压为650V的肖特基二极管结构。肖特基结构使其在关断时无恢复现象，且振铃模式可忽略不计。最小电容关断行为与温度无关。这款双650V整流器特别适用于特定的无桥拓扑结构，可提升硬开关条件下的性能。其高正向浪涌能力确保在瞬态阶段具有良好的鲁棒性。计算导通损耗可使用公式：P =1.35 × I_F(AV) +0.192 × I_F²(RMS)。当二极管同时使用时，二极管1的结温变化公式为：ΔT_j(二极管1) = P(二极管1) × R_th(j-c)(每二极管) + P(二极管2) × R_th(c)。
商品特性
- 无或可忽略的反向恢复
- 开关行为与温度无关
- 适用于特定的无桥拓扑结构
- 高正向浪涌能力
- 绝缘封装：电容7pF，绝缘电压2500V rms
- 环氧树脂符合UL94 V0标准
- 无铅封装
- 冷却方式：传导（C）
- 推荐扭矩值：0.4至0.6N·m
应用领域
- 特定的无桥拓扑结构
- 硬开关条件