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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 比较器 | |
| 比较器数 | 四路 | |
| 输入失调电压(Vos) | 1mV | |
| 输入偏置电流(Ib) | 25nA | |
| 传播延迟(tpd) | 1.3us | |
| 滞后电压(Vhys) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 共模抑制比(CMRR) | - | |
| 输出类型 | - | |
| 输出模式 | MOS；DTL；CMOS；TTL；ECL | |
| 静态电流(Iq) | 1.1mA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
该器件由四个独立的精密电压比较器组成，专门设计用于在宽电压范围内的单电源下工作，也可采用双电源供电。 这些比较器还具有一个独特的特性，即即使在单电源电压下工作，其输入共模电压范围也包含负电源轨。
商品特性
- 所有器件的单电源电压范围宽，或支持双电源供电：+2 V至+36 V或±1 V至±18 V
- 电源电流极低（1.1 mA），与电源电压无关（在+5 V时，每个比较器功耗为1.4 mW）
- 输入偏置电流低：典型值为25 nA
- 输入失调电流低：典型值为±5 nA