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M24128-DRDW8TP/K实物图
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M24128-DRDW8TP/K

128 Kbit串行I2C总线EEPROM可在-105℃下工作

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描述
128 Kbit串行I2C总线EEPROM,105°C工作温度
商品型号
M24128-DRDW8TP/K
商品编号
C5267648
商品封装
TSSOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.14克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录EEPROM
接口类型I2C
存储容量128Kbit
时钟频率(fc)1MHz
写周期时间(Tw)4ms
数据保留 - TDR(年)50年
写周期寿命400万次
属性参数值
功能特性内置上电复位(POR);硬件写保护功能;噪声抑制功能;内置错误纠正码(ECC)功能
工作电压1.7V~5.5V
工作温度-40℃~+105℃
工作电流2mA
待机电流5uA
读取访问时间(tA)900ns

商品概述

M24128-DRE是一款128Kbit串行EEPROM设备,工作温度最高可达105℃,符合AEC-Q100等级2的可靠性标准。该设备通过简单的串行I²C兼容接口访问,最高运行频率为1MHz。其存储阵列基于先进的真EEPROM技术,是字节可修改的存储器(16K×8位),组织为256页,每页64字节,内置错误校正码逻辑可显著提升数据完整性。此外,该设备提供额外的识别页(64字节),可读取ST设备标识,也可存储敏感应用参数,之后可永久锁定为只读模式。

商品特性

  • 兼容所有I²C总线模式(1MHz、400kHz、100kHz)
  • 存储阵列包含128Kbits(16Kbytes)EEPROM,页大小为64字节,额外设有可写锁定的识别页
  • 扩展温度范围:-40℃至105℃;扩展电压范围:1.7V至5.5V
  • 施密特触发器输入用于噪声过滤
  • 短写入周期时间:字节写入在4ms内完成,页写入在4ms内完成
  • 写入周期耐久性:25℃时400万次,85℃时120万次,105℃时90万次
  • 数据保留:105℃时超过50年,55℃时200年
  • ESD保护(人体模型)达4000V
  • 提供多种封装:TSSOP8(DW,169mil宽度)、SO8(MN,150mil宽度)、WFDFPN8(MF,2×3mm)
  • 封装符合RoHS标准且无卤素(ECOPACK2®)

数据手册PDF