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M95P32-IXMNT/E

超低功耗32 Mbit串行SPI分页EEPROM，具备双路和四路输出

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描述: 超低功耗 32 Mbit 串行 SPI 页 EEPROM
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M95P32-IXMNT/E
商品编号: C5267629
商品封装: SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.268克(g)

商品参数

	属性	参数值
	功能特性	内置上电复位(POR)；硬件写保护功能；内置错误纠正码(ECC)功能；内置写使能锁存器(WEL)
	工作电压	1.6V~3.6V
	工作温度	-40℃~+105℃
	工作电流	1.5mA
	待机电流	16uA
	读取访问时间(tA)	-

商品概述

M95P32-I和M95P32-E采用先进的专有NVM技术制造，具有字节灵活性、页可修改性、高页循环性能和超低功耗，与EEPROM技术相当。它们是32-Mbit SPI页EEPROM器件，组织为8192个可编程页，每页512字节，通过具有高性能双和四SPI输出的SPI总线访问。设备提供两个额外的512字节识别页：第一个包含识别数据和按需提供的UID；第二个可用于存储敏感应用参数，之后可永久锁定为只读模式。额外的状态、配置和易失性寄存器设置所需的设备配置，而安全寄存器提供设备状态信息。M95P32-I的供电电压范围为1.6至3.6V，环境温度范围为-40℃至+85℃；M95P32-E的温度范围扩展至-40℃至+105℃。设备支持高达80MHz的时钟频率。M95P32-I和M95P32-E提供字节和页写入指令，最多512字节。写入指令包括自定时自动擦除和编程操作，实现灵活的数据字节管理。设备还接受页/块/扇区/芯片擦除命令，将内存设置为擦除状态。内存可通过512字节页快速编程，并使用带缓冲加载的页编程指令进一步优化，以隐藏SPI通信延迟。

商品特性

接口：支持串行外设接口（SPI）和双/四输出
高速频率：时钟频率高达80MHz；单/双/四输出快速读取（含一个虚拟字节）；双输出数据传输高达160Mbits/s；四输出数据传输高达320Mbits/s
内存：32 Mbits页EEPROM；64-K字节块，4-K字节扇区；页大小512字节；两个额外的512字节识别页
供电电压：宽电压范围1.6至3.6V
温度：工业级-40℃至+85℃；扩展级-40℃至+105℃
性能：全温度范围写入耐久性500k次循环；数据保留100年（500k次循环后10年）
超低功耗：深度掉电模式典型值0.6μA；待机模式典型值16μA；10MHz下单输出读取典型值800μA；页写入典型值1.5mA；峰值电流控制<3mA
高写入擦除性能：字节和页写入（含自动擦除和编程）典型值2ms（512字节）；页编程典型值1.2ms（512字节）；页擦除典型值1.1ms；扇区擦除典型值1.3ms；块擦除典型值4ms；芯片擦除典型值15ms；带缓冲加载的页编程
高级特性：用于高内存可靠性的ECC（DEC，TED）；用于噪声过滤的施密特触发器输入；输出缓冲可编程强度；ISO26262操作状态标志；软件复位；带上下选项的块写保护；按需提供的ID；电子识别；支持SFDP（串行闪存可发现参数）模式；JEDEC标准制造商识别
封装：ECOPACK2（RoHS合规）和无卤素封装：DFN8 4×4mm、SO8N、WLCSP8、未切割晶圆
ESD保护：人体模型（HBM）2000V

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	SPI
	存储容量	32Mbit
	时钟频率(fc)	80MHz
	写周期时间(Tw)	1.2ms
	数据保留 - TDR(年)	100年
	写周期寿命	50万次