ST25DV04KC-JF8D3
ST25DV04KC-4Kbit EEPROM动态NFC/RFID标签
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- 描述
- ST25DV04KC是一个NFC RFID标签,提供4Kbit的可擦除可编程存储器(EEPROM)。该设备具有两个接口:一个是I2C串行链路,可以在DC电源供电下操作;另一个是当设备作为无接触内存时由接收的载波电磁波激活的RF接口。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- ST25DV04KC-JF8D3
- 商品编号
- C5267454
- 商品封装
- UFDFPN-12L(3X3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频卡芯片 | |
| 协议 | ISO 15693;NFC | |
| 接口类型 | I2C;SPI |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 频率 | 13.56MHz | |
| 工作电压 | 1.8V~5.5V |
商品概述
ST25DV04KC、ST25DV16KC和ST25DV64KC器件(以下统称为ST25DVxxKC)是NFC RFID标签,分别提供4、16和64 Kbit的电可擦除可编程存储器(EEPROM)。这些器件具有两个接口:第一个是可由直流电源供电的I²C串行链路,第二个是当器件作为由接收到的载波电磁波供电的非接触式存储器时激活的射频链路。 在I²C模式下,用户存储器最多包含512、2048或8192字节,可分为四个灵活且可保护的区域。 在射频模式下,遵循ISO/IEC 15693或NFC Forum Type 5规范,用户存储器最多包含128、512或2048个4字节的块,可分为四个灵活且可保护的区域。 ST25DVxxKC器件借助256字节的易失性缓冲区(也称为邮箱),可在射频和接触式环境之间实现快速传输模式。此外,GPO引脚可提供有关传入事件的数据,如射频场检测、正在进行的射频活动或邮箱消息可用性。在外部条件允许的情况下,还具备能量收集功能。
商品特性
- 采用意法半导体(ST)先进的专利技术
- 两线I²C串行接口支持1MHz协议
- 单电源电压:1.8 V至5.5 V
- 多字节编程(最多256字节)
- 可配置的I²C从机地址
- 基于ISO/IEC 15693标准
- 经NFC Forum认证的NFC Forum Type 5标签
- 支持所有ISO/IEC 15693调制、编码、副载波模式和数据速率
- 自定义快速读取访问速度高达53 kbit/s
- 单块和多块读取(扩展命令同理)
- 单块和多块(最多四块)写入(扩展命令同理)
- 内部调谐电容:28.5 pF
- 最多64 Kbit的EEPROM(取决于型号)
- I²C接口按字节访问
- 射频接口按4字节块访问
- 写入时间:从I²C接口:1至16字节典型值为5 ms;从射频接口:一个块典型值为5 ms
- 数据保留时间:40年
- 写入循环耐久性:25 ℃时100万次;85 ℃时60万次;105 ℃时50万次;125 ℃时40万次
- I²C和射频接口之间实现快速数据传输
- 半双工256字节专用缓冲区
- 模拟输出引脚为外部组件供电
- 用户存储器:一到四个可配置区域,可通过射频的三个64位密码和I²C的一个64位密码进行读和/或写保护
- 系统配置:通过射频的一个64位密码和I²C的一个64位密码进行写保护
- 中断引脚可针对多个射频事件(射频场变化、存储器写入、活动、快速传输、用户设置/复位/脉冲)和I²C事件(存储器写入完成、射频关闭)进行配置
- 开漏或CMOS输出(取决于型号)
- 输入引脚触发低功耗模式(仅适用于10球和12引脚封装)
- 可通过I²C主机控制器启用/禁用射频命令解释器
- I²C优先级:可通过I²C立即关闭射频
- 温度范围6:-40 ℃至85 ℃
- 温度范围8:-40 ℃至105 ℃(仅适用于UDFPN8和UFDFPN12);-40 ℃至125 ℃(仅适用于SO8N和TSSOP8,射频接口最高105 ℃)
- 8引脚、10球和12引脚ECOPACK2封装(符合RoHS标准)
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