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GC3M018065P
碳化硅 N 沟道增强型 MOSFET（场效应管) Vds 耐压：800V VId电流 @25℃：20A Rds (on) 导通电阻：160mΩ
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- 描述
- 碳化硅 N 沟道增强型 MOSFET（场效应管) Vds 耐压：800V VId电流 @25℃：20A Rds (on) 导通电阻：160mΩ
- 品牌名称
- SUPSiC(国晶微半导体)
- 商品型号
- GC3M018065P
- 商品编号
- C55787955
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1452克(g)
商品参数
参数完善中