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GC3M026065E
碳化硅 N 沟道增强型 MOSFET（场效应管) Vds 耐压：800V VId电流 @25℃：15A RDS(on) 导通电阻：260mΩ
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- 描述
- 碳化硅 N 沟道增强型 MOSFET（场效应管) Vds 耐压：800V VId电流 @25℃：15A RDS(on) 导通电阻：260mΩ
- 品牌名称
- SUPSiC(国晶微半导体)
- 商品型号
- GC3M026065E
- 商品编号
- C55787959
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.413克(g)
商品参数
参数完善中