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GC3M090065E
碳化硅 N 沟道增强型 MOSFET（场效应管) Vds 耐压：800 VId电流 @25℃：4A Rds (on) 导通电阻：900mΩ
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- 描述
- 碳化硅 N 沟道增强型 MOSFET（场效应管) Vds 耐压：800 VId电流 @25℃：4A Rds (on) 导通电阻：900mΩ
- 品牌名称
- SUPSiC(国晶微半导体)
- 商品型号
- GC3M090065E
- 商品编号
- C55788166
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.386667克(g)
商品参数
参数完善中
- GC3M090065F
- GAQY211G2SX
- GAQY212R2SX
- GST-30*500-1
- 262/250ml
- PWR13FTFU0120A027
- PWR13FTEU0220A027
- AR03BTCX2263A025
- AR03BTCX1001A025
- AR03BTCX2842A025
- AR03BTCX1472A025
- AR03BTCX6491A025
- AR03BTCX3322A025
- ARM03DTCX6193A025
- AR03BTCX7151A025
- AR03BTCX1873A025
- AR03BTCX3122NA025
- AR06BTDV1004A025
- AR03BTCX2001A025
- AR06BTCV1302A025
- CRW25FA4--47K027