• GC3M026065E商品缩略图
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  • 引脚图
型号：GC3M026065E品牌：SUPSiC(国晶微半导体)名称：碳化硅 N 沟道增强型 MOSFET（场效应管) Vds 耐压：800V VId电流 @25℃：15A RDS(on) 导通电阻：260mΩ
GC3M026065E实物图本页面提供SUPSiC(国晶微半导体)的GC3M026065E产品的实物图、引脚图、原理图和PCB焊盘图。GC3M026065E参考售价为1.23元起，现货库存数量200个
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准