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碳化硅场效应管(MOSFET)
GC3M018065P
商品大图
引脚图
型号:GC3M018065P
品牌:SUPSiC(国晶微半导体)
名称:碳化硅 N 沟道增强型 MOSFET(场效应管) Vds 耐压:800V VId电流 @25℃:20A Rds (on) 导通电阻:160mΩ
本页面提供SUPSiC(国晶微半导体)的GC3M018065P产品的实物图、引脚图、原理图和PCB焊盘图。GC3M018065P参考售价为1.6元起,现货库存数量493个
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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