温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
GC3M018065E
碳化硅 N 沟道增强型 MOSFET（场效应管) Vds 耐压：800V VId电流 @25℃：20A Rds (on) 导通电阻：160mΩ
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 碳化硅 N 沟道增强型 MOSFET（场效应管) Vds 耐压：800V VId电流 @25℃：20A Rds (on) 导通电阻：160mΩ
- 品牌名称
- SUPSiC(国晶微半导体)
- 商品型号
- GC3M018065E
- 商品编号
- C55787956
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.383667克(g)
商品参数
参数完善中