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BC857BFA-7B
PNP,45V,0.1A,DFN0806-3
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- 描述
- 特性：BVCEO >-45V。 高集电极电流：Ic =-100mA。 功耗：PD = 435mW。 封装尺寸：0.48mm²，比SOT23小16倍。 封装高度：0.4mm，可减少板外轮廓。 互补NPN型BC847BFA。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，环保器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- BC857BFA-7B
- 商品编号
- C5248620
- 商品封装
- DFN-3(0.8x0.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.006667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V | |
| 耗散功率(Pd) | 435mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 470 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 340MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 15nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个PNP |