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BCM857BV-7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BCM857BV-7

PNP 电流:100mA 电压:45V

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描述
特性:BVCEO > -45V。 IC = -100mA,高集电极电流。 一对本质匹配的 PNP 晶体管。 电流增益 (hFE) 匹配度为 2%。 基极-发射极电压 (VBE) 匹配度为 2mV。 采用小型表面贴装封装,完全内部隔离。 完全无铅,完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
BCM857BV-7
商品编号
C5248629
商品封装
SOT-563​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)45V
耗散功率(Pd)357mW
直流电流增益(hFE)200@2mA,5V
属性参数值
特征频率(fT)175MHz
集电极截止电流(Icbo)15nA
集射极饱和电压(VCE(sat))400mV
工作温度-65℃~+150℃@(Tj)
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量2个PNP

数据手册PDF

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