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SMT5N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:5A
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- 描述
- 特性：5.0A, 600V, RDS(on)(Typ) = 1.9Ω @ VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 100%雪崩测试。 快速开关。 改善的dv/dt能力。应用：高频开关电源。 有源功率因数校正
- 品牌名称
- HUAKE(华科)
- 商品型号
- SMT5N60
- 商品编号
- C570141
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 568pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 5.0A,600V
- RDS(导通电阻)(典型值) = 1.9Ω,VGS = 10V
- 低栅极电荷
- 低Crss(反向传输电容)
- 100%雪崩测试
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-高频开关模式电源-有源功率因数校正