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SMT12N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:12A
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- 描述
- 特性：12.0A, 600V。 RDS(on)(Ty) = 0.63Ω @ VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 100%雪崩测试。 快速开关。应用：高频开关模式电源。 有源功率因数校正
- 品牌名称
- HUAKE(华科)
- 商品型号
- SMT12N60
- 商品编号
- C570144
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 145W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.76nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 12.0A、600V，RDS(on)（典型值）= 0.63 Ω @ VGS = 10 V
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 100%雪崩测试
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 高频开关模式电源
- 有源功率因数校正