温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SMD4N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：4.0A, 650V, RDS(on)(Typ) = 2.2Ω@VGS = 10V。低栅极电荷。低Crss。100%雪崩测试。快速开关。改善的dv/dt能力。应用：高频开关模式电源。有源功率因数校正
- 品牌名称
- HUAKE(华科)
- 商品型号
- SMD4N65
- 商品编号
- C570147
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.468克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V,2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 51W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 4.0A、650V，RDS(on)（典型值） = 2.2 Ω @ VGS = 10 V
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 100%雪崩测试
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 高频开关模式电源
- 有源功率因数校正
相似推荐
其他推荐