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SMT20N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
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- 描述
- 特性：20.0A, 600V。 RDS(on)(Ty) = 350mΩ @ VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 100%雪崩测试。 快速开关。应用：高频开关模式电源。 有源功率因数校正
- 品牌名称
- HUAKE(华科)
- 商品型号
- SMT20N60
- 商品编号
- C570145
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 265W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.05nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 20.0A、600V，VGS = 10V 时 RDS(on)(典型值) = 350 mΩ
- 低栅极电荷
- 低 Crss
- 100% 雪崩测试
- 快速开关
- 改善的 dv/dt 能力
应用领域
- 高频开关模式电源-有源功率因数校正