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SMT8N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:8A
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- 描述
- 特性：8.0A, 600V, RDS(on)(Typ) = 1.0Ω @ VGS = 10V。低栅极电荷。低Crss。100%雪崩测试。快速开关。改善的dv/dt能力。应用：高频开关电源。有源功率因数校正
- 品牌名称
- HUAKE(华科)
- 商品型号
- SMT8N60
- 商品编号
- C570142
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.662克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 116W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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