温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2SK2937-VB
1个N沟道 耐压:60V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，具有高压、高电流的特点，适用于多种功率电路设计。TO220F；N—Channel沟道,60V；45A；RDS(ON)=27mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 2SK2937-VB
- 商品编号
- C5240521
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@10V,18A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 720pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30 V
- 漏极电流（ID） = -13.5 A
- 导通状态漏源电阻（RDS(ON)） = 11 mΩ（栅源电压（VGS） = -10 V）
- 导通状态漏源电阻（RDS(ON)） = 15 mΩ（栅源电压（VGS） = -4.5 V）
应用领域
- 负载开关
- 笔记本适配器开关
相似推荐
其他推荐
- TJ30S06M3L-VB
- APM4910KC-TRL-VB
- IRFR2407TRPBF-VB
- NIF9N05CLT1G-VB
- SI7136DP-T1-GE3-VB
- RSD050N10TL-VB
- FQD13N06-VB
- NVD2955T4G-VB
- EMB09P03A-VB
- SI7848DP-T1-GE3-VB
- P2504BDG-VB
- FQD17P06-VB
- AO3400A-VB
- SI3900DV-T1-GE3-VB
- STD17NF03LT4-VB
- MMDF2P02HDR2G-VB
- IPD25N06S4L-30-VB
- 10N03LA-VB
- IRFR3709ZTRRPBF-VB
- NTD4909NT4G-VB
- 2SK3595-01MR-VB