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NIF9N05CLT1G-VB

1个N沟道耐压:60V 电流:4.5A

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描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要小功率场效应管的应用场景，例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。SOT223；N—Channel沟道,60V；4.5A；RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
商品型号: NIF9N05CLT1G-VB
商品编号: C5240525
商品封装: SOT-223
包装方式: 编带
商品毛重: 0.2克(g)

商品参数

AON7458采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。该器件具备低 RDS(on)、Ciss 和 Crss，并保证了雪崩能力，因此可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。