温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFL014TRPBF-VB
60V 4.5A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要小功率场效应管的应用场景，例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。SOT223；N—Channel沟道,60V；4.5A；RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFL014TRPBF-VB
- 商品编号
- C5240547
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 76mΩ@10V,4.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 810pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS）~~- 30 V
- 漏极电流（ID）~~- 20 A
- 栅极电荷（Qg）=58 nC
- 导通电阻（RDS(ON)）< 4.6 mΩ（栅源电压VGS = -10 V）
- 导通电阻（RDS(ON)）< 6.8 mΩ（栅源电压VGS = -4.5 V）
- 行业标准引脚排列，SOP-8封装
- 与现有表面贴装技术兼容
- 符合RoHS标准，无卤
- 湿度敏感度等级1（MSL1），工业级认证