2SJ288-VB
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款高性能单P型场效应晶体管,采用Trench技术,适用于小型功率电路,具有良好的散热性能和安装方便性。 SOT89-3;P—Channel沟道,-60V;-6.5A;RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1.2~-2.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
2SJ288-VB商品编号
C5240558商品封装
SOT-89-3包装方式
编带
商品毛重
0.16克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@10V,3A | |
耗散功率(Pd) | 2.1W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.5nF@25V | |
反向传输电容(Crss) | 150pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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