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IRF5305PBF-VB
1个P沟道 耐压:60V 电流:45A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于不同电子应用领域。TO220；P—Channel沟道,-60V；-45A；RDS(ON)=48mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF5305PBF-VB
- 商品编号
- C5240575
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V；56mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 41.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.065nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 针对高端同步整流器操作优化
- 100%进行Rq测试
- 100%进行UIS测试
应用领域
- 笔记本电脑CPU内核
- 高端开关