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MMDF2P02HDR2G-VB
2个P沟道 耐压:30V 电流:7.3A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双通道功率场效应管，采用Trench工艺，适用于需要高功率和高耐压的应用场景，包括电源开关、电机控制、汽车电子和LED照明等领域的相关模块。SOP8；2个P—Channel沟道,-30V；-7.3A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- MMDF2P02HDR2G-VB
- 商品编号
- C5240537
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@-10V；40mΩ@-4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V；15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 215pF |
商品概述
这些CENTRAL SEMICONDUCTOR器件是双N沟道增强型MOSFET，采用N沟道DMOS工艺制造，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。CMLDM7002A采用美国引脚排列配置，而CMLDM7002AJ采用日本引脚排列配置。这些器件具有低导通电阻rDS(ON)和低导通电压VDS(ON)。
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行过单脉冲雪崩耐量测试
应用领域
-负载开关