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APM4910KC-TRL-VB实物图
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APM4910KC-TRL-VB

2个N沟道 耐压:30V 电流:8A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款半桥N+N型场效应管，是一款半桥N+N型场效应管，能够提供稳定可靠的功率输出，并具有较低的导通电阻和高效的功率转换特性，适合用于要求高性能和高可靠性的电源控制和驱动模块中。SOP8；2个N—Channel沟道,30V；8A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
APM4910KC-TRL-VB
商品编号
C5240523
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.14克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))8mΩ@10V；12mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.78W
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA；2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)15nC@10V
输入电容(Ciss)586pF
反向传输电容(Crss)55pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)117pF

数据手册PDF

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