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TJ30S06M3L-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

TJ30S06M3L-VB

1个P沟道 耐压:60V 电流:50A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于电源开关模块、汽车电子模块、通信设备模块等领域。TO252；P—Channel沟道,-60V；-50A；RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-3V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
TJ30S06M3L-VB
商品编号
C5240522
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.4克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))20mΩ@10V；25mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)-
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)110nC@10V
输入电容(Ciss)2.95nF@25V
反向传输电容(Crss)305pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

数据手册PDF

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