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ESN6435
1个P沟道 耐压:30V 电流:24A
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- 描述
- P沟道，-30V，-31.0A，13.0mΩ@-10V,-20A，-1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESN6435
- 商品编号
- C5224306
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 14.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 146pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 172pF |
商品概述
ESN21307是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESN21307为无铅产品。
商品特性
- -30V，VGS = -10V时，RDS(ON) = 8.5mΩ（典型值）
- VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 12.5mΩ（典型值）
- 快速开关
- 高密度单元设计，实现低RDS(ON)
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换