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AOD536
1个N沟道 耐压:30V 电流:46A
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- 描述
- N沟道，30V，39A，7.0mΩ@10V,20.0A，1.4V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- AOD536
- 商品编号
- C5224309
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 19W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 30V,RDS(ON) = 7.0 m Ω(典型值),VGS = 10 V
- RDS(ON) = 10.5 m Ω(典型值),VGS = 4.5 V
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换