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AO4832
2个N沟道 耐压:30V 电流:8.3A
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- 描述
- 2个N沟道，30V，8.3A，12.0mΩ@10V,8.0A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- AO4832
- 商品编号
- C5224318
- 商品封装
- SOP8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V；15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（R_DS(on)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 30V,RDS(ON) = 12 m Ω(典型值),VGS = 10 V
- RDS(ON) = 15 m Ω(典型值),VGS = 4.5 V
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计,实现低RDS(on)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换