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APM4953
2个P沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 2个P沟道，-30V，-5.8A，40mΩ@-10V,-5.0A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- APM4953
- 商品编号
- C5224316
- 商品封装
- SOP8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V；55mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
IRLML0060TR采用先进的沟槽技术，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(on)）。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 与现有的表面贴装技术兼容
- 符合无铅、无溴和无卤素要求
- 漏源电压（VDS） = 60 V
- 漏源导通电阻（RDS(ON)） < 92 mΩ（栅源电压（VGS） = 10 V）
- 漏源导通电阻（RDS(ON)） < 116 mΩ（栅源电压（VGS） = 4.5 V）