ESN4486
1个N沟道 耐压:100V 电流:8A
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描述
N沟道，100V，10A，82mΩ@10V,4.0A，1.8V@250uA；应用领域：断路器、POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称ElecSuper(静芯微)
商品型号
ESN4486商品编号
C5224310商品封装
PDFN3x3-8L包装方式
编带
商品毛重
0.062克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 82mΩ@10V,4A | |
| 功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.8V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 815pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 35pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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