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SL4421
1个P沟道 耐压:60V 电流:8.5A
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- 描述
- 此P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。它可用于各种应用。
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL4421
- 商品编号
- C5223654
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.189克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 4.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.85nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在VGS（栅源电压） = 10 V时，典型RDS(on)（导通状态下的漏源电阻） = 19.9 mΩ
- 在VGS = 10 V时，典型Q_g(tot)（总栅极电荷） = 236 nC
- 通过AEC - Q101认证
- 符合RoHS标准
- 栅极和源极：AlSiCu
- 漏极：Ti - NiV - Ag（芯片背面）
- 钝化层：SiN
- 晶圆直径：8英寸
- 晶圆在UV胶带上切割
- 坏芯片通过喷墨标记识别
- 芯片总数：296