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FDV301N
1个N沟道 耐压:25V 电流:0.22A
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- 描述
- 特性：0.22 A, 25 V。RDS(ON) = 4 Ω @ VGS = 4.5 V。RDS(ON) = 5 Ω @ VGS = 2.7 V。非常低的栅极驱动要求，允许在3V电路中直接运行。VGS(th) < 1.5 V。用于静电放电防护的栅源齐纳二极管。>6 kV人体模型。可用一个DMOSFET替代多个NPN数字晶体管
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- FDV301N
- 商品编号
- C5223668
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@2.7V,0.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.5pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 双P沟道MOSFET-低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器