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TF2003M-TAH
半桥栅极驱动器
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- 描述
- 栅极驱动IC@@高压200V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
- 品牌名称
- TFSS(德律风根)
- 商品型号
- TF2003M-TAH
- 商品编号
- C5223669
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 600mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 290mA | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 70ns | |
| 下降时间(tf) | 35ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
TF2003M是一款高压、高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压工艺使TF2003M的高端在自举操作中可切换至250V。 TF2003M逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，旨在实现最小的驱动器交叉导通。TF2003M具有420ns（典型值）的固定内部死区时间。 TF2003M采用SOIC-8(N)和PDIP-8封装，工作温度范围扩展至-40℃至+125℃。
商品特性
- 自举操作中浮动高端驱动器可达250V
- 以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET或IGBT
- 专为在嘈杂的电机应用中实现增强性能而设计
- 290mA源极/600mA灌极输出电流能力
- 输出耐受负瞬变
- 420ns的内部死区时间以保护MOSFET
- 宽低端栅极驱动器电源电压：10V至20V
- 逻辑输入（HIN和LIN*）支持3.3V
- 施密特触发逻辑输入
- Vcc（逻辑和低端电源）欠压锁定
- 扩展温度范围：-40℃至+125℃
应用领域
- 电机控制
- DC-DC转换器
- AC-DC逆变器
- 电机驱动器