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SMF2N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:2A
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- 描述
- 特性：2.0A, 650V。RDS(on)(Typ) = 4.2Ω@VGS = 10V。低栅极电荷。低Crss。100%雪崩测试。快速开关。应用：高频开关模式电源。有源功率因数校正
- 品牌名称
- HUAKE(华科)
- 商品型号
- SMF2N65
- 商品编号
- C563581
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.348克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 23W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 270pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 2.0A,650V,RDS(on)(典型值)=4.2Ω@VGS=10V
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 100%雪崩测试
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 高频开关模式电源
- 有源功率因数校正