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DMT35M4LFVW-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- 此MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT35M4LFVW-7
- 商品编号
- C5208056
- 商品封装
- PowerDI-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@10V；6.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.9nC@4.5V；16.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 982pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 903pF |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计
- 低导通态漏源电阻（RDS(on)），可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷（QG）和电容，可将驱动损耗降至最低
- 通过 AEC-Q101 认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）、无铍，符合 RoHS 标准