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DMT35M4LFVW-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- 此MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT35M4LFVW-7
- 商品编号
- C5208056
- 商品封装
- PowerDI-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@10V；6.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.9nC@4.5V；16.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 982pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 903pF |
商品特性
- 低RDS(ON)—— 确保导通损耗最小化
- 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积,使终端产品更小
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试 —— 确保终端应用更可靠、更耐用
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
应用领域
-电源管理功能-模拟开关