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NCEP40T35AVD
1个N沟道 耐压:40V 电流:350A
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- 描述
- 屏蔽栅沟槽型功率MOSFET
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP40T35AVD
- 商品编号
- C5208055
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.29克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.68mΩ@10V,175A | |
| 耗散功率(Pd) | 380W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 156.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.85nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 采用先进的源极朝下封装技术 (3.3x3.3mm)，导热性能出色
- 超低导通电阻RDS(on)，提高系统效率
- 低栅极电荷QG和电容，将驱动和开关损耗降至最低
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流开关应用
- 或门应用
- 电源负载开关
- 电池管理与保护