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NCE40P20Q1
1个P沟道 耐压:40V 电流:20A
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- 描述
- 沟槽型功率MOSFET
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE40P20Q1
- 商品编号
- C5208054
- 商品封装
- DFN3.3x3.3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 275pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压VDS = -40V,漏极电流ID = -20A
- 栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 18 mΩ
- 栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 28 mΩ
- 具备高功率和大电流处理能力
- 产品无铅
- 采用表面贴装封装
应用领域
- 电源管理
- 负载开关
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