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NCEP40P80G
1个P沟道 耐压:40V 电流:80A
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- 描述
- 屏蔽栅沟槽型功率MOSFET
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP40P80G
- 商品编号
- C5208053
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CJ3420-ES 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通态漏源电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 CJ3420-ES 为无铅产品。
商品特性
- VDS = -40V,ID = -80A
- R D S (ON) = 6.3 m Ω(典型值)@ V G S = - 10 V
- R D S (ON) = 9.0 m Ω(典型值)@ V G S = - 4.5 V
- 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数)
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 工作温度达150 °C
- 无铅引脚镀层
- 100% 进行UIS测试!
- 100% 进行ΔVds测试!
应用领域
- DC/DC转换器
- 非常适合高频开关和同步整流
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