- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NXH200T120H3Q2F2SG
NXH200T120H3Q2F2SG
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NXH200T120H3Q2F2SG
- 商品编号
- C5205728
- 商品封装
- Q2PACK-56(47x93)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 330A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 384A；768A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.86V；1.5V；2V；1.36V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.52V；4.03V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7064uC@15V；300.9nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 35.615nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 249pF；700pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 530pF；34pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 92ns；276ns；302ns；94ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 224ns；923ns；244ns；997ns | |
| 导通损耗(Eon) | 4.7mJ；5.1mJ；3.1mJ；5.4mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.4mJ；5.4mJ；3mJ；7.9mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 26.6ns；62ns；25.8ns；107ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |